Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 25.7 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7360
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4101DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI4101DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET 30 V (D-S) 25,7 A (Tc) 6 W (Tc) von Vishay Semiconductor hat eine SMD-Montage mit 8-SOIC-Gehäusetyp und seine Anwendungen sind Adapterschalter, Lastschalter, Stromverwaltung, Notebooks und tragbare Akkupacks.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine
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