Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 256-7377
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5936DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI5936DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das 2-N-Kanal-Dual-MOSFET-Array von Vishay Semiconductor, 30 V, 6 A, 10,4 W, hat eine SMD-Montage mit PowerPAK-ChipFet-Gehäusetyp und seine Anwendung ist Netzwerk
und Systemversorgung DC, DC.
TrenchFET Power Mosfet
Thermisch verbesserte powerPAK-chipFET-Gehäuse
Kleine Abmessungsfläche
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dünnes 0,8-mm-Profil
100 % Rg-geprüft
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