Vishay Si5418DU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.6 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

14,66 €

(ohne MwSt.)

17,44 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,733 €14,66 €
100 - 1800,718 €14,36 €
200 - 4800,586 €11,72 €
500 - 9800,572 €11,44 €
1000 +0,462 €9,24 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1318
Herst. Teile-Nr.:
SI5418DU-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Serie

Si5418DU

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.08mm

Breite

1.98 mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links