Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 256-7374
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 20 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 6 A | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 1.4 Ω | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 6 A | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 1.4 Ω | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
The Vishay Semiconductor Nand P-channel 20 V (D-S) mosfet 6A 8.3W surface mount its applications are complementary mosfet for portable devices Ideal for buck-boost circuits.
TrenchFET power mosfet
Small footprint area
Low on-resistance
Thin 0.8 mm profile
100% Rg tested
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