Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7375
Herst. Teile-Nr.:: SI5517DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,038 €	5,19 €
50 - 95	0,928 €	4,64 €
100 - 245	0,728 €	3,64 €
250 - 995	0,714 €	3,57 €
1000 +	0,47 €	2,35 €

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RS Best.-Nr.:: 256-7375
Herst. Teile-Nr.:: SI5517DU-T1-GE3
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Datasheet - SI5517DU-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay Semiconductor Nand P-Kanal-MOSFET 20 V (D-S) 6 A 8,3 W SMD-Anwendungen sind ergänzende MOSFET für tragbare Geräte, ideal für Buck-Boost-Stromkreise.

TrenchFET Power Mosfet
Kleine Abmessungsfläche
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dünnes 0,8-mm-Profil
100 % Rg-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
Montage-Typ	SMD

Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET

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