Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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RS Best.-Nr.:
256-7365
Herst. Teile-Nr.:
SI5442DU-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal von Vishay Semiconductor, 20 V, 25 A (Tc), 3,1 W (Ta), 31 W (Tc), SMD-Anwendungen sind Lastschalter, PA-Schalter und für tragbare Anwendungen

sind Point-of-Load, DC, DC-Wandler, Stromverwaltung.

TrenchFET Power Mosfet

Kleine Abmessungsfläche

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dünnes 0,8-mm-Profil

100 % Rg-geprüft

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