Vishay SIA483ADJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,6 A PowerPAK SC-70

RS Best.-Nr.:: 256-7404
Herst. Teile-Nr.:: SIA483ADJ-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIA483ADJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,6 A PowerPAK SC-70

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Datasheet - SIA483ADJ-T1-GE3

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Produktdetails

Das P-Kanal-30-V (D-S)-mosfet-iTime-PowerPAK-SC-70-Gehäuse von Vishay Semiconductor ist thermisch verbessert und bietet ausgezeichnete RDS-Qg-Verdienstwerte (FOM)
für Schaltanwendungen, Akkuladung und -verwaltung, Lastschalter, DC, DC-Wandler, Stromverwaltung in batteriebetriebenen, mobilen und tragbaren Geräten.

TrenchFET gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Bietet ausgezeichnete RDS-Qg-Verdienste
Für Schaltanwendungen
100 % Rg-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	10,6 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK SC-70
Montage-Typ	SMD

Vishay SIA483ADJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,6 A PowerPAK SC-70

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