Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 190 V / 1.5 A, 6-Pin SIB452DK-T1-GE3 PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

12,55 €

(ohne MwSt.)

14,925 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +0,502 €12,55 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7409
Herst. Teile-Nr.:
SIB452DK-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

190V

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor mit seinem neuen thermisch verbesserten PowerPAK SC-75-Gehäuse verfügt über eine kleine Abmessungsfläche und einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.

TrenchFET Power Mosfet

Anwendung ist Boost-Wandler für tragbare Geräte

Blei (Pb)-frei und halogenfrei

Verwandte Links