Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 15 A 180 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7411
Herst. Teile-Nr.:
SIHB15N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.28Ω

Maximale Verlustleistung Pd

180W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 15 A – SIHB15N60E-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für die Oberflächenmontage von Leistungselektronik entwickelt wurde. Er bietet eine N-Kanal-Leitung, die für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und gewerblichen Baugruppen geeignet ist und über einen breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen arbeitet.

Merkmale und Vorteile:


• 600-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Ein Rds(on) von 0,28 Ω minimiert die Leitungsverluste unter Last
• 180 W Verlustleistung bewältigt erhöhte thermische Belastungen
• Gate-Ladung 78 nC bei 30 V Vgs ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Das Oberflächengehäuse TO‐263 vereinfacht die Leiterplattenmontage für Leistungsstufen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für Front-End-Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird für Beleuchtungsvorrichtungen und industrielle Steuerungen verwendet
• Kann für die Stromumwandlung in erneuerbaren Wechselrichtern verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagementplatinen für Hochleistungsmodule verwendet

Welcher Gate-Drive-Spannungsbereich sollte beachtet werden?


Das Gerät toleriert Gate-Spannungen bis zu 30 V, sodass die Antriebsschaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um eine Gate-Überlastung zu verhindern.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Zuverlässigkeit aus?


Die Verbindungen können in Umgebungen von -55 °C bis +150 °C betrieben werden, was eine ordnungsgemäße Kühlung oder Leiterplattenkupfer für einen dauerhaften Einsatz mit hoher Leistung erfordert.

Welche Packungsaspekte gibt es für das Leiterplatten-Design?


Die 3-polige Oberflächenmontageform des TO‐263 erfordert große Wärmeleitpads und kurze Hochstromschienen, um den Parasitenwiderstand zu reduzieren und die Kühlung zu verbessern.

Ist er für Kfz-Antriebsanwendungen geeignet?


Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert, daher sollte es nicht verwendet werden, wo für den Automobilbereich spezifische Qualifikationen erforderlich sind.

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