Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 15 A 180 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 256-7411
Herst. Teile-Nr.:: SIHB15N60E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 15 A 180 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:: SIHB15N60E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.28Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	180W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	78nC
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 180W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB15N60E-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 15 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N60E-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das Wärmemanagement in Stromversorgungsbaugruppen auf Platinenebene geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 15 A Dauerstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung • Der Einschaltwiderstand von 0,28 Ω reduziert Leitungsverluste • 78 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 180 W Verlustleistung unterstützt eine erhöhte Lastverarbeitung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält hohen thermischen Belastungen stand

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für die Schaltung von Motorantrieben in Automatisierungssystemen • Wird für industrielle Beleuchtungs- und Vorschaltgerätesteuerkreise verwendet • Kann für Energiemanagement und Wechselrichterstufen verwendet werden • Wird mit Wärmeleitplatinen in Stromverteilungsmodulen verwendet

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Das Gerät darf nicht Gate-Source-Spannungen von mehr als 30 V ausgesetzt werden, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.

Wie sollten die thermischen Bedingungen auf einer Leiterplatte verwaltet werden?

Entwickeln Sie ein spezielles Kupferpad und einen Wärmeableitungsbereich für das TO-263-Gehäuse, um die Sperrschichttemperaturen unter den Nenngrenzen unter der angegebenen Verlustleistung zu halten.

Welchen Umgebungstemperaturbereich können die Komponenten voraussichtlich tolerieren?

Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und eignet sich daher für raue Umgebungsbedingungen und erhöhte Anschlussszenarien.

Ist dieses Gerät den Spezifikationen für die Automobilindustrie entspricht?

Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität klassifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.