Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 89 W SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9295
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6644TRPBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (4800 Stück, auf einer Rolle mit 4800)*
5.169,60 €
(ohne MwSt.)
6.153,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4800 + | 1,077 € | 5.169,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9295
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6644TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 89 W SO-8
- Infineon HEXFET N-Kanal 2-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal 7-Pin DirectFET
- Infineon DirectFET Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-247