Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 180 A 89 W WDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4800 Stück)*

3.940,80 €

(ohne MwSt.)

4.689,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4800 +0,821 €3.940,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3966
Herst. Teile-Nr.:
IRF6727MTRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDSON

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Durchlassspannung Vf

0.77V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

Umweltfreundlich

Verwandte Links