Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9432
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4321TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 150-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

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