Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8197
Herst. Teile-Nr.:: IRF1010NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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1600 +	0,699 €	559,20 €

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RS Best.-Nr.:: 165-8197
Herst. Teile-Nr.:: IRF1010NSTRLPBF
Marke:: Infineon

IRF1010NSPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	85 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	11 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	180 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	120 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	11.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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