Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

    0,735 €

    (ohne MwSt.)

    0,875 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    Voraussichtlich ab 17.09.2024 verfügbar.
    Stück
    Pro Stück
    Pro Rolle*
    800 - 8000,735 €588,00 €
    1600 +0,699 €559,20 €

    *Bitte VPE beachten

    Nicht als Expresslieferung erhältlich
    RS Best.-Nr.:
    165-8197
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF1010NSTRLPBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.85 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    SerieHEXFET
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.11 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.180 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite11.3mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs120 nC @ 10 V
    Länge10.67mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Diodendurchschlagsspannung1.3V
    Höhe4.83mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

    Verwandte Produkte