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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 62 A 330 W TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9431
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	62A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Power-Mosfet-PDP-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse.

Erweiterte Prozesstechnologie

Wichtige Parameter optimiert für PDP-Unterhaltung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige E-Impulsbelastbarkeit zur Verringerung der Leistung

Verlust in PDP-Unterstützung, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige QG für schnelles Ansprechen

Hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit für

Zuverlässiger Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175 °C Betriebsverbindungstemperatur für verbesserte Robustheit

Wiederholbare Lawinen-Fähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

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