Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3764
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IMZ120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.8mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC 1200 V, 60 mΩ SiC-MOSFET im TO247-4-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trennhalbleiterprozess, der optimiert wurde, um Leistung mit Zuverlässigkeit zu kombinieren. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC-MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Lade- und Gerätekapazitätsniveaus, die bei 1200-V-Schaltern beobachtet werden, keine Verluste bei der umgekehrten Wiederherstellung der internen komutationssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und schwellenfreie Einschaltcharakteristik. CoolSiC-MOSFETs sind ideal für harte und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrekturstromkreise, bidirektionale Topologien und DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter.
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäuse-Diode für harte Kommutation
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Höchster Wirkungsgrad
Geringerer Kühlungsaufwand
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