Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3785
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N10N5LFATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Durchlassspannung Vf

0.89V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Linear-FET OptiMOS von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand und dem Betrieb mit linearen Modusfähigkeiten im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trennschlitz-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Hoher max. Impulsstrom

Hoher durchgehender Impulsstrom

Robuster Betrieb im linearen Modus

Geringe Leitungsverluste

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