Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 300 V / 44 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3806
Herst. Teile-Nr.:
IPB407N30NATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40.7mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS 300-V-MOSFETs mit schneller Diodentechnologie sind speziell für die harte Gehäusedioden-Kommutierung optimiert. Die Geräte zeigen nicht nur einen beeindruckenden Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Zuverlässigkeit, sondern bieten auch eine hohe Systemzuverlässigkeit durch die niedrigste auf dem Markt erhältliche umgekehrte Wiederherstellungsladung. Mit der 300-V-Serie OptiMOS bringt Infineon eine neue Leistungsstufe in harten Schaltanwendungen wie Telekommunikation, unterbrechungsfreie Netzteile, industrielle Netzteile, DC/AC-Wechselrichter und Motorsteuerung.

Harte Schaltfestigkeit

Optimiertes hartes Schaltverhalten

Reduzierung von Platinenplatz und Systemkosten

Hohe Systemzuverlässigkeit

Beste Schaltleistung

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