Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 70 A TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

3,64 €

(ohne MwSt.)

4,33 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.645 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 450,728 €3,64 €
50 - 1200,662 €3,31 €
125 - 2450,618 €3,09 €
250 - 4950,58 €2,90 €
500 +0,538 €2,69 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3831
Herst. Teile-Nr.:
IPD068P03L3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Logikpegel

Avalanche-geschützt

Schnelles Schalten

Dv/dt-Nennleistung

Verwandte Links