Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.545,00 €

(ohne MwSt.)

1.837,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,618 €1.545,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3832
Herst. Teile-Nr.:
IPD122N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.2mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weniger Parallelführung erforderlich

Kleinster Platinenplatzverbrauch

Einfach zu entwerfende Produkte

Verwandte Links