Infineon IPD60N10S412ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A PG-TO252-3-313
- RS Best.-Nr.:
- 258-3849
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S412ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
1,135 €
(ohne MwSt.)
1,351 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,135 € | 2,27 € |
| 20 - 48 | 0,99 € | 1,98 € |
| 50 - 98 | 0,935 € | 1,87 € |
| 100 - 198 | 0,865 € | 1,73 € |
| 200 + | 0,805 € | 1,61 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 258-3849
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S412ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungstransistor OptiMOS-T2 von Infineon verfügt über einen P-Kanal-Normalpegel-Verbesserungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
AEC-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3-313 |
| Montage-Typ | SMD |
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