Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
3,26 €
(ohne MwSt.)
3,88 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,63 € | 3,26 € |
| 20 - 48 | 1,465 € | 2,93 € |
| 50 - 98 | 1,385 € | 2,77 € |
| 100 - 198 | 1,29 € | 2,58 € |
| 200 + | 1,195 € | 2,39 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 58 W Verlustleistung – IPD50P04P4L11ATMA2
Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen P-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen vorgesehen ist. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für anspruchsvolle Temperaturumgebungen ausgelegt, wodurch es sich für Anwendungen eignet, bei denen es auf thermische Belastbarkeit und kompakte Verpackung ankommt.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 10,6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -50 A unterstützt Hochstromlasten
• Gate-Ladung 45 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximal-Vgs 5 V gewährleistet sichere Gate-Treibergrenzen
• Die Oberflächenmontage des TO-252 ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -50 A unterstützt Hochstromlasten
• Gate-Ladung 45 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximal-Vgs 5 V gewährleistet sichere Gate-Treibergrenzen
• Die Oberflächenmontage des TO-252 ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Wird mit Wärmemanagement für erweiterte Temperatursysteme verwendet
• Kann für die Gleichstromsteuerung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
• Ideal für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Wird mit Wärmemanagement für erweiterte Temperatursysteme verwendet
• Kann für die Gleichstromsteuerung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
Welchen extremen Temperaturen kann es standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Verpackungs- und Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie verhält sich das Gerät unter Bedingungen mit hoher Leistung?
Es ermöglicht eine Verlustleistung von bis zu 58 W und ermöglicht so eine dauerhafte Leistungsaufnahme mit entsprechendem Wärmemanagement.
Gibt es Grenzen für die Drain-Source-Spannung und den Gate-Treiber?
Das Gerät gibt eine maximale Ablass-Quellenspannung von -40 V und eine maximale Gate-Quellenspannung von 5 V an.
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET N / 4.4 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252