Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -73 A 75 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3861
Herst. Teile-Nr.:: IPD70P04P409ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -73 A 75 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 258-3861
Herst. Teile-Nr.:: IPD70P04P409ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-73A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-40V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	54nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	-1V
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -73A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -40V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf -1V
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD70P04P409ATMA2

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 75 W Verlustleistung -40 V Drain-Source-Spannung - IPD70P04P409ATMA2

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und eignet sich für Anwendungen, bei denen hohe Strombelastbarkeit und kompakte Montage erforderlich sind. Das Gerät ist RoHS-konform und erfüllt den Kfz-Teststandard AEC-Q101 für den Einsatz in Kfz-Elektronik.

Merkmale und Vorteile:

• Rds(on) von 8.9 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -73 A unterstützt hohe Stromanforderungen
• 75 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Das TO‐252-Gehäuse erleichtert die kompakte Oberflächenmontage

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten in Automobilsystemen
• Ideal für den Verpolungsschutz in Stromschienen
• Einsatz mit Power-Management-Schaltkreisen in der Fahrzeugelektronik
• Kann für die synchrone Steuerung in Gleichstromstufen verwendet werden
• Geeignet für thermisch stabile Designs über weite Temperaturbereiche

Welche Nennspannung gilt zwischen Drain und Quelle?

Das Gerät ist für eine maximale Drain-to-Source-Spannung von -40 V ausgelegt.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage aus?

Der TO‐252-Formfaktor für die Oberflächenmontage unterstützt Standard-Reflow-Lötprozesse und kompakte Leiterplatten-Layouts.

Welche thermischen Extreme kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, um eine breite thermische Widerstandsfähigkeit zu gewährleisten.