Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A TDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

2.250,00 €

(ohne MwSt.)

2.700,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,45 €2.250,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3886
Herst. Teile-Nr.:
IPLK60R360PFD7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPL

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit dem Benchmark mit niedrigem Parasitstrom führen diese Merkmale zu deutlich kleineren Formfaktoren und tragen zur Steigerung der Leistungsdichte bei. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.

Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode

ESD-Schutz bis zu 2 kV

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

Verwandte Links