Teile-Nr.

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON

RS Best.-Nr.:: 258-7741
Herst. Teile-Nr.:: IPB123N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON

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RS Best.-Nr.:: 258-7741
Herst. Teile-Nr.:: IPB123N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	58A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB123N10N3GATMA1

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.

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Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON

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