Infineon IPL, Oberfläche MOSFET 650 V / 14 A TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3889
- Herst. Teile-Nr.:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | IPL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie IPL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 600 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit dem Benchmark mit niedrigem Parasitstrom führen diese Merkmale zu deutlich kleineren Formfaktoren und tragen zur Steigerung der Leistungsdichte bei. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.
Sehr niedriger FOM RDS(on) x Eoss
Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode
ESD-Schutz bis zu 2 kV
Großer Bereich von RDS(on)-Werten
Minimierte Schaltverluste
Verbesserte Leistungsdichte im Vergleich zur neuesten CoolMOS-Ladegerätetechnologie
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