Infineon IPL, Oberfläche MOSFET 650 V / 14 A TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

3,07 €

(ohne MwSt.)

3,654 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 5.000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 181,535 €3,07 €
20 - 481,37 €2,74 €
50 - 981,27 €2,54 €
100 - 1981,18 €2,36 €
200 +1,105 €2,21 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3889
Herst. Teile-Nr.:
IPLK60R600PFD7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IPL

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 600 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit dem Benchmark mit niedrigem Parasitstrom führen diese Merkmale zu deutlich kleineren Formfaktoren und tragen zur Steigerung der Leistungsdichte bei. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.

Sehr niedriger FOM RDS(on) x Eoss

Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode

ESD-Schutz bis zu 2 kV

Großer Bereich von RDS(on)-Werten

Minimierte Schaltverluste

Verbesserte Leistungsdichte im Vergleich zur neuesten CoolMOS-Ladegerätetechnologie

Verwandte Links