Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 73 A 100 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3892
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP083N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,458 € | 72,90 € |
| 100 - 200 | 1,181 € | 59,05 € |
| 250 - 450 | 1,108 € | 55,40 € |
| 500 - 950 | 1,05 € | 52,50 € |
| 1000 + | 1,006 € | 50,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3892
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP083N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter.
Ideal für hohe Schaltfrequenz
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niedrige Spannungsüberschreitung
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