Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3981
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR220NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
532,00 €
(ohne MwSt.)
634,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,266 € | 532,00 € |
| 4000 - 4000 | 0,253 € | 506,00 € |
| 6000 + | 0,237 € | 474,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3981
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR220NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Erhöhte Robustheit
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Qualifikationsstufe nach Industriestandard
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 10 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 2.2 V / 90 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 130 A TO-252