Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3982
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-536
Herst. Teile-Nr.:
IRFR220NTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Erhöhte Robustheit

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Qualifikationsstufe nach Industriestandard

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