Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 100 A, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
259-1467
Herst. Teile-Nr.:
BSC014NE2LSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Produktfamilie Infineon optimos 25 V setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs und System in Gehäuse. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen machen optimos 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5 x 6). Es minimiert elektromagnetische Störungen im System, wodurch externe Schnubber-Netzwerke obsolet werden und die Produkte leicht zu entwerfen sind.

Einsparung der Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Anzahl der Phasen in Mehrphasenwandlern

Verringerung von Leistungsverlusten und Erhöhung des Wirkungsgrads für alle Belastungsbedingungen

Spart Platz mit den kleinsten Gehäusen wie CanPAK, S3O8 oder System-in-Pack-Lösung

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