Infineon OptiMOS™ BSC014NE2LSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A PG-TDSON-8-7

Die Produktfamilie Infineon optimos 25 V setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs und System in Gehäuse. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen machen optimos 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5 x 6). Es minimiert elektromagnetische Störungen im System, wodurch externe Schnubber-Netzwerke obsolet werden und die Produkte leicht zu entwerfen sind.

Einsparung der Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Anzahl der Phasen in Mehrphasenwandlern
Verringerung von Leistungsverlusten und Erhöhung des Wirkungsgrads für alle Belastungsbedingungen
Spart Platz mit den kleinsten Gehäusen wie CanPAK, S3O8 oder System-in-Pack-Lösung