Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 259-1549
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120N04S402ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 120 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB120N04S402ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Gerät mit Hochstromverstärkungsmodus, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und entspricht den Branchenumweltrichtlinien und Stressstandards für die Automobilindustrie.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 1.80 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 40-V-Nennspannung unterstützt Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 120 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Oberflächengehäuse TO-263 vereinfacht das Wärmemanagement
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C hält dem Betrieb bei extremen Temperaturen stand
• 40-V-Nennspannung unterstützt Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 120 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Oberflächengehäuse TO-263 vereinfacht das Wärmemanagement
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C hält dem Betrieb bei extremen Temperaturen stand
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Hochstrom-Gleichstromverteilungssystemen
• Kann für die Stromschaltung in rauen Umgebungen verwendet werden
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Hochstrom-Gleichstromverteilungssystemen
• Kann für die Stromschaltung in rauen Umgebungen verwendet werden
Welche Montageart ist erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage im TO-263-Gehäuseformat vorgesehen.
Welchen extremen Temperaturen kann es während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.
Erfüllt es die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie?
Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.
Welche Kanalkonfiguration und welchen Modus verwenden sie?
Es handelt sich um einen N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus.
Gibt es Umweltbeschränkungen für seine Materialien?
Er ist RoHS-konform.
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