Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
259-1549
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N04S402ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 120 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB120N04S402ATMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Gerät mit Hochstromverstärkungsmodus, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und entspricht den Branchenumweltrichtlinien und Stressstandards für die Automobilindustrie.

Merkmale und Vorteile:


• Niedrige Rds(on) von 1.80 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 40-V-Nennspannung unterstützt Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 120 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Oberflächengehäuse TO-263 vereinfacht das Wärmemanagement
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C hält dem Betrieb bei extremen Temperaturen stand

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Hochstrom-Gleichstromverteilungssystemen
• Kann für die Stromschaltung in rauen Umgebungen verwendet werden

Welche Montageart ist erforderlich?


Er ist für die Oberflächenmontage im TO-263-Gehäuseformat vorgesehen.

Welchen extremen Temperaturen kann es während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Erfüllt es die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie?


Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.

Welche Kanalkonfiguration und welchen Modus verwenden sie?


Es handelt sich um einen N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus.

Gibt es Umweltbeschränkungen für seine Materialien?


Er ist RoHS-konform.

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