Infineon IPD052N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 118 A PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-2601
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 16.04.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)
0,777 €
(ohne MwSt.)
0,925 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
2000 + | 0,777 € | 1.554,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 259-2601
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Leistungs-MOSFETs Infineon StrongIRFET 2 sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie SMPS, Motorantrieb, Batteriebetrieb, Batteriemanagement, USV und leichte Elektrofahrzeuge optimiert. Diese neue Technologie bietet eine Verbesserung der RDS(on) von bis zu 40 Prozent und eine bis zu 60 Prozent niedrigere Qg im Vergleich zu den vorherigen StrongIRFET-Geräten, was sich in einer höheren Energieeffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung niederschlägt. Erhöhte Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit und eliminieren die Notwendigkeit, mehrere Geräte parallel zu betreiben, was zu niedrigeren BOM-Kosten und Einsparungen auf der Platine führt.
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 118 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | PG-TO252-3 |
Montage-Typ | SMD |
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