Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin IRFP3006PBF TO-247

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist ein wichtiges Bauteil für moderne elektronische Anwendungen und wurde im Hinblick auf verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit entwickelt. Die Abmessungen dieses TO-247-Gehäuses umfassen eine Länge von 15,87 mm, eine Breite von 5,31 mm und eine Höhe von 20,7 mm. Es arbeitet effektiv in einer Vielzahl von Umgebungen und leistet einen wichtigen Beitrag zur Energieverwaltung.

• Hoher Dauerableitstrom von 270 A für anspruchsvolle Anforderungen

• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichtersystemen

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C bewältigt er zuverlässig hohe thermische Belastungen, während der Wärmewiderstand vom Übergang zum Gehäuse eine effiziente Wärmeabfuhr unterstützt.

Er verfügt über eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V, die sicherstellt, dass Steuersignale den MOSFET effektiv aktivieren und Synergieeffekte mit Steuerkreisen mit niedrigerer Spannung ermöglichen.

Der niedrige Einschaltwiderstand von 2,5 mΩ reduziert die Energieverluste erheblich und verbessert die Gesamteffizienz der Schaltkreise, insbesondere bei leistungsintensiven Anwendungen, was sich in einer geringeren Wärmeentwicklung und einer verbesserten Nachhaltigkeit der Leistung niederschlägt.