STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 20 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 261-5483
- Herst. Teile-Nr.:
- STD65N160M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
3,52 €
(ohne MwSt.)
4,19 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,52 € |
| 10 - 99 | 2,30 € |
| 100 - 499 | 2,26 € |
| 500 - 2499 | 2,23 € |
| 2500 + | 2,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-5483
- Herst. Teile-Nr.:
- STD65N160M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction-MDmesh-M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche geeignet ist. Die siliziumbasierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.
Höhere VDSS-Einstufung
Ausgezeichnete Schaltleistung
Einfach zu steuern
100 % Lawinengeprüft
Zenergeschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N / 18.1 A TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252