STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 12 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
261-5526
Herst. Teile-Nr.:
STD80N340K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics mit Super-Junction-Technologie. Mit erstklassigem Einschaltwiderstand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Lawinengeprüft

Zener-geschützt

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