STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 60 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

11,62 €

(ohne MwSt.)

13,83 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.670 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +1,162 €11,62 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-8440
Herst. Teile-Nr.:
STD5N80K5
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.73Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.2 mm

Höhe

2.17mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit MDmesh K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Branchenweit niedrigster RDS(on) x-Bereich

Branchenweit bester FoM (Leistungszahl)

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zenerdioden-geschützt

Anwendungen

Schaltanwendungen

Verwandte Links