STMicroelectronics STD5N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET / 4 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 188-8440
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,322 €
(ohne MwSt.)
1,573 €
(inkl. MwSt.)
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,322 € | 13,22 € |
| 50 - 90 | 1,256 € | 12,56 € |
| 100 - 240 | 1,131 € | 11,31 € |
| 250 - 490 | 1,018 € | 10,18 € |
| 500 + | 0,966 € | 9,66 € |
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 188-8440
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit MDmesh K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Branchenweit niedrigster RDS(on) x-Bereich
Branchenweit bester FoM (Leistungszahl)
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Branchenweit bester FoM (Leistungszahl)
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,73 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 60 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Länge | 6.6mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 6.2mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 2.17mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
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