STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 60 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
188-8289
Herst. Teile-Nr.:
STD5N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.73Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.17mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit MDmesh K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Branchenweit niedrigster RDS(on) x-Bereich

Branchenweit bester FoM (Leistungszahl)

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zenerdioden-geschützt

Anwendungen

Schaltanwendungen

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