Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 140 A, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

14,77 €

(ohne MwSt.)

17,575 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,954 €14,77 €
25 - 452,482 €12,41 €
50 - 1202,334 €11,67 €
125 - 2452,154 €10,77 €
250 +2,012 €10,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6729
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-666
Herst. Teile-Nr.:
IRF3808PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C, niedrige RθJC, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Verwandte Links