Infineon HEXFET IRFSL4127PBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 262-6772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4127PBF
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
5,57 €
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,57 € | 11,14 € |
| 10 - 18 | 5,01 € | 10,02 € |
| 20 - 48 | 4,675 € | 9,35 € |
| 50 - 98 | 4,345 € | 8,69 € |
| 100 + | 4,01 € | 8,02 € |
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 262-6772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4127PBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.
Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 72 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | TO-262 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
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