Vishay SIHA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 179 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,39 €

(ohne MwSt.)

11,174 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 84,695 €9,39 €
10 - 184,24 €8,48 €
20 - 984,16 €8,32 €
100 - 4983,475 €6,95 €
500 +2,945 €5,89 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8288
Herst. Teile-Nr.:
SIHA150N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIHA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.158Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat geringere Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

Verwandte Links