Vishay SIHA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 179 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Transistor, der für industrielle und elektronische Steuerungsumgebungen geeignet ist, in denen Hochspannungshandhabung und kompakte Montage erforderlich sind.

• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten • 0,158 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz • 36 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebszeit • 179 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter • Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstadien • Wird für Schaltmodus-Stromversorgungsschalter auf der Primärseite verwendet • Kann für induktives Lastschalten in Automatisierungssystemen verwendet werden

Das Gate muss innerhalb von ±30 V mit einer typischen Gate-Ladung von 36 nC betrieben werden

Mit einer Verlustleistung von 179 W und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C verwenden Sie geeignete Leiterplatten-Wärmeleitungen, Kupferfläche oder Kühlkörper, um die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.

Es ist nicht als konform mit dem Automobilstandard spezifiziert, daher sollte es nicht für zertifizierte Automobilanwendungen ohne zusätzliche Validierung geeignet sein.

Das Gerät wird in einem PowerPAK SO‐8DC-Oberflächenmontagegehäuse mit acht Pins geliefert