Infineon IGT60R070D1ATMA4, SMD MOSFET 600 V / 60 A, 8-Pin HSOF

Der Leistungstransistor von Infineon besteht aus einem Galliumnitrid und verfügt über den CoolGaN™ 600 V Enhancement-Modus. Dieser Leistungstransistor bietet eine schnelle Ein- und Ausschaltgeschwindigkeit, minimale Schaltverluste und ermöglicht einfache Halbbrückentopologien mit höchstem Wirkungsgrad. Die Galliumnitrid CoolGaN™ 600V-Serie ist nach einer umfassenden, auf GaN zugeschnittenen Qualifizierung qualifiziert, die weit über die bestehenden Standards hinausgeht. Sie eignen sich für Datacom- und Server-Schaltnetzteile, die Telekommunikation sowie für Adapter, Ladegeräte, drahtloses Laden und zahlreiche andere Anwendungen, die höchste Effizienz oder Leistungsdichte erfordern.

Reduziert elektromagnetische Störungen
Systemkosteneinsparungen
Fähig zur Rückleitung
Überlegene Robustheit bei der Kommutierung
Ermöglicht höhere Betriebsfrequenzen
Niedrige Gate-Ladung und niedrige Ausgangsladung