Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 211 A, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 273-2775
Herst. Teile-Nr.:: IPB65R050CFD7AATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 211 A, 3-Pin TO-263

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Datasheet - IPB65R050CFD7AATMA1

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Produktdetails

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungsbauteil des Typs CoolMOS CFD7 A mit 650 V. Es handelt sich um einen CoolMOS MOSFET der neuesten Generation von marktführenden, für den Automobilbereich qualifizierten Hochspannungsbauteilen von Infineon. Zusätzlich zu den von den bereits bekannten und von der Automobilindustrie benötigten Eigenschaften wie hohe Qualität und Zuverlässigkeit bietet die neue CoolMOS CFD7A-Serie eine integrierte schnelle Bodydiode und kann für PFC- und resonante Schalttopologien wie die ZVS-Phasenverschiebungs-Vollbrücke und LLC verwendet werden.

Geringere Schaltverluste
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
100 Prozent gegen Lawinendurchbruch getestet
Optimiert für höhere Batteriespannungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	211 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-263
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Channel-Modus	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 211 A, 3-Pin TO-263

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