Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
273-2806
Herst. Teile-Nr.:
IRF7351TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Ursprungsland:
PH
Der MOSFET von Infineon ist ein 60-V-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET wird für Motorantriebssysteme mit geringer Leistung und für isolierte DC/DC-Wandler verwendet.

Extrem niedrige Gate-Impedanz

Maximale Gate-Nennspannung von 20 V VGS

Vollständig charakterisierte Lawinendurchbruchs-Spannung und -Stromstärke

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