Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin PG-TO262-3

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RS Best.-Nr.:
273-3013
Herst. Teile-Nr.:
IPI076N15N5AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

112A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOSa5

Gehäusegröße

PG-TO262-3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen.

Höhere Leistungsdichte

Robuster Produkte

Reduzierung der Systemkosten

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