Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin PG-TO262-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3014
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI076N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,52 €
(ohne MwSt.)
5,38 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 459 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,52 € |
| 10 - 24 | 4,13 € |
| 25 - 49 | 3,78 € |
| 50 - 99 | 3,47 € |
| 100 + | 3,24 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3014
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI076N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 112A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Gehäusegröße | PG-TO262-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 112A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Gehäusegröße PG-TO262-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen.
Höhere Leistungsdichte
Robuster Produkte
Reduzierung der Systemkosten
Verwandte Links
- Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO262-3
- Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon IQF Typ N-Kanal 12-Pin PG-TSON-12
- Infineon CoolMOSTMPFD7 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220