Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

6.236,00 €

(ohne MwSt.)

7.420,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +3,118 €6.236,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5351
Herst. Teile-Nr.:
IPT012N06NATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

313A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPT

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Power MOSFET ist für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, POL und Telekommunikation optimiert. Dieses Gehäuse ist eine perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzreduzierung erforderlich sind. Es ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Überlegene Wärmebeständigkeit

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links