Infineon IPP65R190CFD7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 77 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
273-3022
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPP65R190CFD7A

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Verlustleistung Pd

77W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AECQ101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 650-V-Kühl-MOS-N-Kanal-Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET. Er verfügt über die höchste Zuverlässigkeit im Feld, um die Anforderungen an die Lebensdauer in der Automobilindustrie zu erfüllen.

Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte

Granular-Portfolio erhältlich

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