Infineon IPP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 135 A 625 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 135A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 171nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 171nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der IPP-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 135 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R016CM8XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für raue Umgebungen. Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Kühlkörper- und Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät entspricht den Standard-Halbleiterzulassungen und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Strombelastbarkeit und thermische Beständigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 135 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Maximale Rds(on) von 16 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 625 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 171 nC unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Toleranz von Vgs±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 135 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Maximale Rds(on) von 16 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 625 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 171 nC unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Toleranz von Vgs±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Netzstromwandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Hochstrom-DC/DC-Wandlungsmodulen verwendet
• Kann für elektronische Last- und Leistungsprüfgeräte verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in Telekommunikationsinfrastrukturen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Hochstrom-DC/DC-Wandlungsmodulen verwendet
• Kann für elektronische Last- und Leistungsprüfgeräte verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in Telekommunikationsinfrastrukturen
Welchen Umgebungsbedingungen kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie viele Stifte und welche Montageart sind vorhanden?
Das Gerät verwendet eine dreipolige Konfiguration und ist für die Durchsteckmontage in einer Standard-TO-220-Grundfläche ausgelegt.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für das Schalten erforderlich?
Die Gate-Spannung sollte innerhalb von ±30 V bleiben, um das Gate zu schützen
Die typische Gate-Ladung von 171 nC sollte bei der Anpassung der Treiber an die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten berücksichtigt werden.
Welche Zulassungen zeigen die Standardkonformität für die Komponentenauswahl an?
Es verfügt über JEDEC-anerkannte Qualifikationen und RoHS-Konformität für Material- und Fertigungsstandards.
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