Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 19 A 142 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-003
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,57 €
(ohne MwSt.)
10,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 465 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,714 € | 8,57 € |
| 50 - 95 | 1,63 € | 8,15 € |
| 100 - 495 | 1,508 € | 7,54 € |
| 500 - 995 | 1,388 € | 6,94 € |
| 1000 + | 1,336 € | 6,68 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-003
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon IGBT / 20 A 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage