Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 98 A 158 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
349-117
Herst. Teile-Nr.:
IPP073N13NM6AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

158W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Die wichtigsten Merkmale umfassen einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der Leitungsverluste minimiert, und ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Außerdem zeichnet er sich durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Das Gerät ist mit einem hohen Avalanche-Energiewert ausgestattet, wodurch es für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und kann bei einer hohen Temperatur von 175°C betrieben werden, wodurch die Zuverlässigkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet ist.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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