Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 39 A 125 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
349-118
Herst. Teile-Nr.:
IPP339N20NM6AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der geringere Leitungsverluste gewährleistet. Der MOSFET verfügt außerdem über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung und eine sehr niedrige Rückstromladung (Qrr) für einen effizienten Betrieb. Er ist zu 100 % Avalanche-getestet, was seine Robustheit gewährleistet, und kann bei einer hohen Temperatur von 175 °C betrieben werden, wodurch er auch in anspruchsvollen Umgebungen zuverlässig arbeitet.

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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